ECHIPAMENT DE ACOPERIRE CU SPUTTERING CU PLASMĂ CU VID RIDICAT: ECHIPAME DE BAZĂ CARE Permiteți metalizarea substratului DPC ceramică

Echipamentul de acoperire a substratului ceramic semiconductor adoptă principiul sputterului cu plasmă cu câmp electric cu vid ridicat, injectează o cantitate mică de gaz argon într -o cavitate închisă și îl ionizează într -un flux de ioni argon sub acțiunea de înaltĂ tensiune. Ace Astfel un strat compus de cupru-metal, cu o structurat densa și o AderențĂ PurnicĂ.
Echipament de Acoperire CU Substrat Semiconductor ceramic Este o legatură cheie în tehnologia de procesare a substratului ceramică dpc, punând o bază solidat pentru farmarea circuitului ulterior, transferul grafic și integrarea funcționalĂ. Prinp Depunerea stratului Metalic de înaltĂ preciti, substratul ceramică nu numai cizinge o conductivitate excelentă, dar sunt și o stabilitate termicați mai putrernică și o RezistențĂ mecanici, endeplinind peplineri strictele ale aplicațiilor cum ar fi comunicații 5g, electronice auto și modul de putre pentru performanța substratului.
În Timpul Procesului de Depunere A stratului metalic, orice impuriteți vafecta grav Stabilitatea StructuralĂ, Electrice proprii și aderența stratului depus. Prin Urmare, Acest Echipament este Echipat Cu un Sistem de Camerați de Ambalare Cu Vid Ridicat, IAR GRADUL DE VID POATE ATINGE UN Nivel de 10 Pa. Through the linkage of high-efficiency molecular pump and mechanical pump for exhaust, multi-layer sealing structure, gas leakage is prevented, the inner wall of the chamber is polished, and adsorption residues are reduced, so as to ensure the purity of the deposition environment and no oxidation reaction from the source, thereby greatly improving the density and uniformity of the metal layer, which is especially suitable for semiconductors and ceramic substrates for DISPOZIVITĂ CU PTERE MARE, CU CERINțE EXTROVE DE RIDICATE PENTRU PURITE șI CONSENțĂ.
Acest echipament adoptĂ un sistem sursĂ de ioni plasmatici Cu plasmĂ Controlul de Precizie, Care SE Poate Regla Automat în funcție de diferite Materiale țintĂ, Grosime țintĂ, formați și poziție a substratului. AceastĂ structuĂ de sursă de ioni extrema de controlebil poate obține o distribuit de sputtering mai uniforma a atomilor de metal, asigurându-se uniformitatea grosimii și eroarea de consecnen și eroarea de consecne Este Mai Mai MICĂ de ± 3%, CeeA Ce este deosebit de Potrivit Pentru Producția StabilĂ A SPECIAL SEMBRATATOROROR DE DIMENSIUNI MARI SAU SPECIAL.
Pentru A Satisfrace Nevoile de Procesare Ale Clienților Pentru Substureri Ceramice Din diferite Specifații, Echipamele de Acoperire A Substratului Ceramic Semiconductor ParalelĂ CU O STAțIE CU DOUĂ STAțII SAU MULTI-CAVITATE.
Sistemul de Control Poate Preseta o Soittat de parametr de procese și Poate Schimba rapid Loturile de Produse. AceastĂ StructurĂ nu numai cĂ îmbunăiTățește flexibilitatea utilizĂrii echipamentelor, dar reduce foarte mult timpul de ajustare a mașinei și costuri de intervenții manual de la schistarea modelelor de produse. Este FOarte Potrivit Pentru Oem, Producția de Cercetare științiFICĂ și medii de producție compatibilă și compatibil de paralele.
Sistemul de Alimentarare Cu Alimentarare Cu Substrat Cu substrat Cu Semiconductor AdoptĂ Logica de Control de economisire A Energiei Cu Energie ElectricĂ, IAR Consumul de Energie Este Redus Cu 15% -30% În comparație cu echipamemele tradiționale de Placarare cu. În același timp, sunt un mecanism automat de start-stop și de optimizare de așteptarare, Ajustrea automatiz a puterii după stabilizare procesului și reduce consumul excesiv de energie. Configurația opțională de legătuură cu mai multe caviteți poate refety o producție continuu neîntrrerupt de 24 de minere. Este adecvat în special pentru clienții de producție în masă a substratului ceramic, care sunt sensibili la consumul de energie de producție de unitate și au cerințe ridicate pentru eficiența bătăilor, cum ar fi vehicule energetice noi, echipamente de comunicare 5G și producători De Module de Energie.